香港報

作者: Mopack22926 (阿翔) 看板: Examination
標題: [考題] 國安局99年電子學
時間: Wed Jun 27 13:30:08 2012



考試種類：國安99年


出處：電子學


題目：http://www1c.moex.gov.tw/ExamQuesFiles/Question/099/25604400.pdf

第六題 答案 (B)

6 關於增強型金氧半場效電晶體（MOSFET）之敘述，下列何者錯誤？
A.㨗固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）之轉移電導值（Transconductance）gm較
操作在三極管區（Triode Region）時大
B.搸固定汲極電流ID條件下，電晶體操作在飽和區（Saturation Region）時之輸出阻抗ro較操作在三極管
區（Triode Region）時小
C.揸 N 通道金氧半場效電晶體導通時之閘極電壓比源極電壓高
D.𡎎 P 通道金氧半場效電晶體靠電洞導電

想法：

FET ID=2根號K*ID

小ro=VA / ID
答案A成立因為飽和區ID最大GM又跟ID正比 所以A對..

請問B為什麼錯?　飽和區ID不是比三極體區大嗎...照理說飽和區小ro最小...



特性曲線..飽和區ID的確最大..ro又跟ID反比..B也對吧...

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